主要技术参数:
测试电流IM:1~200mA。控制精度:±1%±0.1mA;
正向加热电流IT:1~100A。控制精度:±1%±0.1A;
正向压降VF测量范围:0.0000V~8.0000V 。测量精度:±0.01%±0.0001V,显示精度:0.0001V;
温度测量范围(TA、Ta、TC、TL):10.0℃~199.9℃。测量精度:±0.2%±0.2℃,显示精度:0.1℃;
测试取样间隔时间:1~10S。分辩率:1S;
M与IT的转换间隔时间:200uS~1000uS。分辩率:1uS;
可控硅IGT触发电流:0~100mA。分辩率:0.1mA;
IGBT的Vge电压:0~15V。分辩率:0.1V。