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GK-HTGB-C16
高温栅偏实验系统
系统能满足各种封装形式的MOSFET、IGBT等器件的高温栅偏试验。
工作原理:
将被测量元件放置在一定的环境温度中,给被测元件的栅极施加一定的偏置电压。同时测控系统实时检测每个材料的漏电流、电压,并根据预先设定,当被测材料实时漏电流超过设定值时,自动切断被测材料上的电压,可以保护被测元件不会进一步烧毁。
heating
高温加热
内部加热 保持不坏
真金不怕火炼,超强耐高温
超级耐高温
保持高品质
内部加热原理
产品特点
高精度,高稳定性
支持双界面
热阻测试和结构函数测试
采样速率1MHz/s
支持多种方
式实现Sic器件功率循环
高精度,高稳定性
支持双界面
热阻测试和结构函数测试
采样速率1MHz/s
支持多种方
式实现Sic器件功率循环
产品参数
Product parameters
GK-HTGB-C4
★符合标准:
符合MIL-STD-750、AEC-Q101等试验标准要求。
★适用范围:
系统能满足各种封装形式的MOSFET、IGBT等器件的高温栅偏试验。
★工作原理:
将被测量元件放置在一定的环境温度中,给被测元件的栅极施加一定的偏置电压。同时测控系统实时检测每个材料的漏电流、电压,并根据预先设定,当被测材料实时漏电流超过设定值时,自动切断被测材料上的电压,可以保护被测元件不会进一步烧毁。
服务热线
0571-8585 6333
联系邮箱:gk@hzgkdz.com
公司地址:浙江省杭州市余杭区闲林工业园裕丰路7号
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